Covering Disruptive Technology Powering Business in The Digital Age

Unisantis Electronics Singapore Pte.  Ltd. เปิดเผยถึงการพัฒนาของบริษัทในด้านเทคโนโลยี Dynamic Flash Memory (DFM) ซึ่งเป็นการพัฒนาที่ก้าวกระโดดในการทำวิจัยเพื่อเป็นอีกทางเลือกหนึ่งที่จะมาแทนที่ DRAM สำหรับแอพพลิเคชั่นหน่วยความจำที่มีความหนาแน่นสูงของระบบฝังตัวหรือแบบสแตนด์อโลนที่มีราคาถูกในอนาคต  โดย DFM ให้ความเร็วที่เพิ่มขึ้นและมีความหนาแน่นสูงขึ้นเมื่อเทียบกับ DRAM หรือหน่วยความจำชั่วคราวประเภทอื่นๆ

DFM ได้ถูกนำเสนอเป็นครั้งแรกในสัปดาห์นี้ ในงาน IEEE International Memory Workshop (IMW) ครั้งที่ 13 โดย Drs.  Koji Sakui และ Nozomu Harada จาก Unisantis

DRAM เป็นรูปแบบหน่วยความจำชั่วคราวที่อ่านค่าความจำจากตัวเก็บประจุและประจุไฟฟ้าจะหายทุกครั้งเมื่อมีการอ่านข้อมูล ซึ่งแนวทางการปฏิวัติของ DFM เพื่อเอาชนะข้อจำกัดของหน่วยเก็บความจำชั่วคราวแบบเดิม ๆ เช่น DRAM ที่มีวงจรในการรีเฟรชที่สั้นและใช้พลังงานในกระบวนการอ่านข้อมูลมาก โดยเปลี่ยนเป็นการจัดเก็บข้อมูลในพื้นที่ที่เพิ่มขึ้นเพื่อลดต้นทุนให้ต่ำลงโดยที่ไม่ต้องใช้พลังงานเพิ่มขึ้น

DFM เป็นหน่วยความจำชั่วคราวประเภทหนึ่ง แต่เนื่องจากไม่ต้องพึ่งตัวเก็บประจุจึงมีการรั่วไหลน้อยกว่า ,ไม่มีการเชื่อมต่อระหว่างทรานซิสเตอร์สวิตซ์กับตัวเก็บประจุ  ผลที่ได้คือเป็นการออกแบบเซลล์ที่มีศักยภาพในการเพิ่มความหนาแน่นของทรานซิสเตอร์อย่างมีนัยสำคัญและ DFM ยังช่วยลดความถี่และวงจรการรีเฟรชโดยไม่เพียงแต่มีการบล็อกการรีเฟรชเท่านั้นแต่ยังมีการลบการบล็อกรีเฟรชเนื่องจากเป็นแบบ Flash memory นอกจากนี้ ยังสามารถเพิ่มความเร็วและพลังงานได้มากขึ้นเมื่อเทียบกับ DRAM

ผลที่ได้จากการจำลอง TCAD , Unisantis ได้พิสูจน์แล้วว่า DFM มีศักยภาพในการเพิ่มความหนาแน่นเป็น 4 เท่าของDRAM  โดยจากรายงานล่าสุดของ IEEE ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) รายงานว่า ขนาดของ DRAM เกือบจะหยุดลงที่ 16Gb ซึ่งจากรูปด้านล่างจะเห็นว่า การแบบจำลอง DFM มีความหนาแน่นของเซลล์ที่ 4F2 แสดงให้เห็นว่า DFM มีโครงสร้างที่สมบูรณ์แบบมากเพียงใด

การออกแบบและพัฒนา DFM หมายถึงการปรับปรุง Gb / mm2 อย่างมีประสิทธิภาพและจากข้อจำกัดของ DRAM ในปัจจุบัน (ซึ่งปัจจุบันที่ใช้คือ 16Gb) ซึ่ง DFM สามารถเพิ่มหน่วยความจำเป็น 64Gb ได้ในทันทีจากการใช้โครงสร้างเซลล์ที่ยกระดับให้ดีขึ้น

การเข้ามาแทนที่ DRAM เป็นความท้าทายอย่างมากสำหรับอุตสาหกรรมนี้ ไม่เพียงเพราะในปัจจุบัน DRAM มีสัดส่วนการใช้งานมากกว่า 50% ของความต้องการหน่วยความจำของตลาดในปัจจุบัน (อ้างอิงจาก Yole Development, 2020)  การคาดการณ์นี้ยังชี้ให้เห็นถึงความจำเป็นที่จะต้องใช้ DRAM ที่มีต้นทุนต่ำ , มีความหนาแน่นสูง โดยภายในปี 2025 จะยังคงมีการเติบโตที่ต่อเนื่องและมีมูลค่าสูงกว่า 100 พันล้านเหรียญสหรัฐ  แต่ความท้าทายด้านเทคโนโลยียังรออยู่ข้างหน้าในการที่จะเข้ามาแทนที่ Dram เช่น DRAM ที่ใช้ตัวเก็บประจุน้อยลง ,ZRAM หรือ วิธี GAA ที่ง่ายขึ้น และการใช้แผ่นนาโน ซึ่งทั้งหมดนี้เป็นข้อจำกัดของ DRAM เมื่อเทียบกับ DFM

บริษัท Unisantis เกิดจากการประสบความสำเร็จในการตลาดของหน่วยความจำที่ใช้เซมิคอนดักเตอร์ ซึ่งก่อตั้งขึ้นโดย Dr.Fujio Masuoka จากสิงคโปร์ ผลงานที่เขาคิดค้นคือ การพัฒนา Flash memory ของบริษัทโตชิบา โดย Dynamic Flash Memory ได้รับการพัฒนาโดย Unisantis ตามหลักการทางของ SGT Technology ที่ได้รับการพิสูจน์แล้ว ซึ่งเป็นนวัตกรรมเฉพาะของบริษัทสำหรับหน่วยความจำเซมิคอนดักเตอร์

ในช่วงปี 2008 ถึง 2012 Unisantis ได้ลงนามในข้อตกลงความร่วมมือด้านการวิจัยร่วมกับสถาบันไมโครอิเล็กทรอนิกส์ในสิงคโปร์และประสบความสำเร็จในการสร้างทรานซิสเตอร์รอบทิศทางในแนวตั้งที่ IME

คุณ Koji Sakui จาก Unisantis และผู้ร่วมคิดค้น DFM ได้กล่าวแสดงความคิดเห็นว่า “อุตสาหกรรมหน่วยความจำมีเทคโนโลยี DRAM ที่ได้รับการยอมรับมานานแล้วและกำลังใกล้หมดความนิยมในการใช้งาน และตลาดให้ความสำคัญกับเทคโนโลยีใด ๆ ที่เข้ามาแทนที่ จะต้องให้ความสมดุลของประสิทธิภาพที่เหมาะสม ,ต้นทุน  และความสามารถในการปรับขนาดได้ในอนาคต  หลังจากการวิจัยและการทดสอบ เรามีความยินดีที่จะเปิดตัว DFM สู่ตลาดในฐานะตัวเลือกที่ใช้งานได้ในระยะยาวสำหรับ DRAM

คุณ Manyadath Balachandran ผู้อำนวยการของ Unisantis Electronics Pte Ltd Singapore กล่าวว่า เรามีความยินดีในการนำเสนอ Dynamic Flash Memory ที่มีข้อได้เปรียบทางโครงสร้างที่ดีกว่า DRAM ในปัจจุบัน  โดยประเทศสิงคโปร์มีการพัฒนาระบบนิเวศเซมิคอนดักเตอร์เป็นอย่างมากและบริษัทชั้นนำหลายแห่งของโลกมีโรงงานผลิตในสิงคโปร์  โดยเราจะมองหาแนวทางในการพัฒนาศักยภาพสูงสุดของ Dynamic Flash Memory ผ่านการร่วมมือกับบริษัทต่างๆเหล่านี้

(0)(0)